【中微公司尹志尧：公司等离子体刻蚀设备已使用于128层及以上的量产】3月19日，中微公司董事长、总经理尹志尧3月19日在2023年度成绩阐明会上表明，在逻辑集成电路制作环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在世界闻名客户最先进的生产线纳米以下器材中若干关键步骤的加工；一起，公司依据先进集成电路厂商的需求继续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制作环节，公司的等离子体刻蚀设备已使用于128层及以上的量产，一起公司依据存储器材客户的需求正在开发极深邃宽比的刻蚀设备和工艺；公司也依据逻辑器材客户的需求，正在开发更先进刻蚀使用的设备。

  3月19日，中微公司董事长、总经理尹志尧3月19日在2023年度成绩阐明会上表明，在逻辑集成电路制作环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在世界闻名客户最先进的生产线纳米以下器材中若干关键步骤的加工；一起，公司依据先进集成电路厂商的需求继续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制作环节，公司的等离子体刻蚀设备已使用于128层及以上的量产，一起公司依据存储器材客户的需求正在开发极深邃宽比的刻蚀设备和工艺；公司也依据逻辑器材客户的需求，正在开发更先进刻蚀使用的设备。