光刻胶，又称光致抗蚀剂，具有光化学敏感性，在光的照射下溶解度发生明显的变化，一般以液态涂覆在半导体、导体等基片表面上，曝光烘烤后成固态，它能轻松实现从掩膜版到基片上的图形转移，在后续的处理工序中保护基片不受侵蚀，是微细加工技术中的关键材料。

  光刻胶的应用领域在印刷电路板、液晶显示器、半导体集成电路、是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一！

  等离子体和固体、液体或气体一样，是物质的一种状态。对气体施加足够的能量使之离化成等离子状态。等离子体的“活性”组分包括：离子、电子、活性基团、激发态的核素（亚稳态）、光子等。

  电介质等离子体刻蚀设备通常用电容耦合等离子体平行板反应器。在平行电极反应器中，反应离子刻蚀腔体采用了阴极面积小，阳极面积大的不对称设计，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上。

  在射频电源所产生的热运动作用下带负电的自由电子因质量小、运动速度快，很快到达阴极；而正离子则由于质量大，速度慢不能在相同的时间内到达阴极, 从而使阴极附近形成了带负电的鞘层。

  正离子在鞘层的加速下，垂直轰击硅片表面，加快表面的化学反应及反应生成物的脱离，导致很高的刻蚀速率。离子轰击也使各向异性刻蚀得以实现等离子体去胶的原理和等离子体刻蚀的原理是一致的。不同的是反应气体的种类和等离子体的激发方式。

  纳恩科技等离子清洗/刻蚀机产生等离子体的装置是在密封容器中设置两个电极形成电场，用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，它们发生碰撞而形成等离子体。

  这些离子的活性很高，其能量足以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的表面引起化学反应，不同气体的等离子体具有不一样的化学性能，如氧气的等离子体具备极高的氧化性，能氧化光刻胶反应生成气体，进而达到清洗的效果；

  腐蚀性气体的等离子体具有非常好的各向异性，这样就能满足刻蚀的需要。利用纳恩科技等离子处理时会发出辉光，故称之为辉光放电处理。

  纳恩科技等离子体清洗的机理，主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发为等离子态；气相物质被吸附在固体表面；被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子解析形成气相；反应残余物脱离表面。

  纳恩科技等离子体清洗技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可做处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。

  纳恩科技等离子体清洗还具有以下几个特点：容易采用数控技术，自动化程度高；具有高精度的控制装置，时间控制的精度很高；正确的等离子体清洗不会在表面产生损伤层，表面上的质量得到保证；由于是在真空中进行，不污染自然环境，保证清洗表面不被二次污染。返回搜狐，查看更加多