说实话，世界上估计没有一个国家像中国这样，需要在芯片全产业链上，实现全自主化。其它国家都是整合全球的供应链，制造自己的芯片就行。

  而中国因为被美国打压，不得不发展芯片全产业链，避免被卡脖子，全球估计也仅此一家。

  不过我们也清楚，发展全产业链，确实困难重重，毕竟从砂子变成芯片的过程，需要几十上百种材料，几百种设备，几千道工序，全部要自己掌握，真的太难了。

  但好消息是，经过这么多年的发展，目前除了光刻机之外，其它的半导体设备，我们大多数都达到了28nm工艺，有些更是达到了3nm。

  这意味着，除了光刻机外，中国大陆在28nm的芯片设备上初步建立了自给能力，基本能实现国产化了。

  我们知道，从砂子变成芯片，很复杂，其中前道工序是重点，这里的环节主要由芯片代工厂完成，中国大陆的芯片代工龙头是中芯国际。

  在代工厂里，这样的一个过程大体上分为8个小流程，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试，这里的设备都最重要，而美国主要也是在这些环节卡住我们。

  但如上图所示，目前这些关键设备中，除了光刻机外，大多数都实现了28nm的量产，还有部分设备达到了3nm，比如中微的刻蚀机、屹唐半导体的去胶机，就达到了5nm，在验证3nm；屹唐半导体的刻蚀设备达到10nm，在验证7nm，盛美半导体的清洁机在验证7nm。

  不过也有网上的朋友表示，如果光刻机不突破，其它设备突破都是空中楼阁，因为光刻机还在90nm，只要一卡光刻机，其它的就全部卡死了。

  所以国产光刻机真的要努力了，已经是全产业链中最短的那块短板，严重拖后腿了。

  不过，我们还需要注意的是，这里只是半导体设备部分。芯片的制造还离不开EDA，离不开各种IP、很多材料，这一些地方我们还有很多的课要补。

  比如IP方面，国外品牌占了至少95%的份额，国产芯片IP的份额不到5%。EDA方面，国外品牌占了95%的份额，国产品牌不足5%。还有材料这一块，我们也大量依赖进口，比如光刻胶国产份额不足10%，90%靠进口，同时国产光刻胶最高还只能达到40nm左右。

  可见，搞定芯片全产业链真的不容易，需要国产厂商们几十年如一日的坚持，更需要国产厂商们的努力支持，虽然目前进步明显，但路还很漫长。

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