2023年10月26日，第七届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS 2023）在浙江丽水成功召开。本次会议由中国集成电路创新联盟，中国光学学会主办；中国科学院微电子研究所和丽水经济技术开发区管理委员会承办；浙江富浙资本管理有限公司、广东省大湾区集成电路与系统应用研究院、南京诚芯集成电路技术研究院协办。仪器信息网作为大会合作媒体特对本届会议进行报道。
IWAPS为来自国内外半导体工业界、学术界的资深技术专家和优秀研究人员等提供了一个技术交流平台，参会者就材料、设备、工艺、测量、计算光刻和设计优化等主题分享各自的研究成果，探讨图形化解决方案，研讨即将面临的技术挑战。会议吸引了国内外业界数百位资深专家及企业代表参会。
中国光学学会光刻技术专业委员会秘书长韦亚一研究员主持开幕并首先致辞。韦亚一表示，本次国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）由中国集成电路创新联盟和中国光学学会联合主办，旨在促进学术与行业的交流与合作。在过去几年中，国际先进光刻技术研讨会取得巨大成功，来自世界各地的专家学者提交的报告和文章数量逐渐增多，同时他们也为大会带来了许多精彩报告，报告涵盖了光刻技术的最新进展、研究成果和未来发展的新趋势，为推动光刻技术的发展和应用提供了思路。最后韦亚一对到场嘉宾和参会者表示感谢，并预祝本次大会圆满成功。
中国集成电路创新联盟理事长曹健林在致辞中分享三点感受。首先，本次会议选择在远离中心城市的丽水市召开，说明了集成电路产业已经在中国广泛渗透，未来可能会深入到各个产业，甚至走得更远、更深；其次，看到如此多的参会者参与本次会议，也说明了大家对这一领域技术充满兴趣，都愿意学习和了解，也标志着中国集成电路技术正在慢慢的提升和发展；最后，中国要实现再全球化，需要产业链的所有的环节一起努力。在此基础上，中国有能力定义自己的芯片，定义自己的国家，定义自己的应用目标。
国际欧亚科学院院士叶甜春表示，会议秉承一个理念，即在当前制造阶段，我们应该综合性的解决方案，而很难再通过单一的技术层面来分享。在整个制作的完整过程中，都是围绕图形来进行的，因此凡是与图形生成相关的领域都会被纳入到会议中。其次随着会议的届数持续不断的增加，文章和参会者数量也在一直增长。许多海外学者也愿意进行科学技术合作和学术交流，并对这些海外学者表示热烈的欢迎。
中国光学学会秘书长刘旭谈到，许多重要的行业，如集成电路（IC）等，都与我们的生产生活息息相关。基于此，中国集成电路创新联盟和中国光学学会联合举办了IWAPS，以鼓励和推动这些产业之间的交流与合作。同时，本届会议也得到了高层领导、赞助商和地方政府的鼎力支持，特别是国际高层领导，这也逐步加强了国家学术交流。
丽水市委常委、常务副市长楼志坚在致辞中介绍了丽水市的特色，并提到此次会议选择在丽水召开，一方面说明了集成电路产业的蓬勃发展，国家科技、经济的强盛发展的潜在能力。另一方面，丽水市具备一定产业基础，同时经济发展迅速、交通便利，为行业的发展提供了动力。最后希望与会者在参会之余，能够感受到丽水的独特魅力，未来将更多的人才、项目等汇集于此，一同推动集成电路产业的发展。
丽水经济技术开发区党工委书记、管委会主任刘志伟在致辞中介绍了丽水半导体产业高质量发展情况，并表示丽水经开区已形成了以硅基原材料加特种材料为基础，延伸至半导体设备、设计封装设施等全产业链，形成紧密协作的集聚发展形态趋势和开放包容富有活力的产业链生态。刘志伟表示，希望能够通过此次会议加大研学深入，推进招商进度，延伸合作力度，政府将以最大政策与各企业家共同携手推进半导体产业的发展，让丽水的产业可成为全国集成电路发展中新生力量。
程序委员会主席顾问李序武补充道，此次会议提交的技术论文和报告的数量对比之前有着显著的提高，这些报告充分展示了来自国内外的专家学者的最新研究成果。同时李序武对这些学者表示感谢，他谈到，正是每一位学者的不懈努力和持续追求，才能够在技术领域取得重大突破的关键，希望能够通过研讨会建立深厚的友谊，为未来合作交流打好基础。
报告题目：EUV Coherent Scattering and Imaging for Semiconductor MetrologyEUV光刻是半导体制造中的领先技术，主要因其具有短波长的优势，可以为未来的技术节点实现高分辨率的图案化。尽管如此，进一步缩小规模的过程在光掩模和晶片计量方面面临挑战。传统成像的一个重要替代方案是无透镜成像，称为相干衍射成像（CDI）。在Yasin Ekinci团队最近的实验中，其将EUV CDI应用于多层涂层和薄膜保护的EUV掩模，揭示了其在检测小至20nm的吸收体和相缺陷方面的卓越能力。无透镜方法的一个显著优点是其固有的灵活性，允许操纵波长和入射角，从而逐渐增强成像能力。此外，这一些方法能够同时使用不相同的计量技术，如散射测量法和反射测量法。Yasin Ekinci团队在尽力创造一种新型的晶圆计量工具，能够在纳米级进行无损测量，适应任何结构和材料。总之，EUV光不仅有助于在光刻中产生较小的特征，而且成为未来技术节点中表征和分析这些复杂特征所需的计量学的一种强大方法。无透镜成像和EUV工具的结合为推进半导体制造所需的计量学带来了巨大的前景。
报告题目：19 Years of AMEC Etch Product Innovation经过19年的不停地改进革新和努力，中微半导体设备（上海）股份有限公司（AMEC）已成为中国领先的高端半导体设备公司。丛海表示，AMEC在CCP（电容耦合等离子体）和ICP（电感耦合等离子体）蚀刻机上开发了多种产品，以覆盖大多数蚀刻应用。AMEC提供单台机和双台机，以追求卓越的工艺性能和显著的成本降低。
报告题目：HPOTMEDA-Plus Enables An Ultimate DTCODTCO的本质是实现设计和制造之间的协同合作，使双方能释放各自的优势，从而寻求更优化的整体结果。东方晶源（DJEL）的HPO
旨在建立一个平台和关键引擎，通过在设计和制造之间建立双向数据交换，实现最终的DTCO解决方案，使无晶圆厂能够在制造车间内获得更多的可见性，同时，芯片制作的完整过程可以系统地考虑设计者的意图，最终提升整体效率和产量。在报告中，俞宗强介绍了DJEL在人工智能的帮助下集成Place&Route工具和OPC工具的最新实践，通过双方的优势提高了设计的可制造性和芯片性能，并展示了HPOTM平台如何为行业提供更具竞争力的解决方案，以构建更好的从设计者的意图到良好芯片（G2GC）的流程。
报告题目：From AI Assist to AI Driven: AI Applications in Advanced Patterning Process Development据介绍，Al是一种具有高级校准（训练）算法的复杂模型（深度神经网络模型），用于描述大数据模式或行为并进行预测。先进的IC制造是一个数据量巨大的复杂系统，为了确认和保证更高和稳定的最终产量，需要复杂的模型来描述输入值与输出值的关系和行为，因此Al模型适合处理这种具有大数据的复杂系统。有了Al辅助应用，手动工作由Al模型完成，效率明显提高，主要自动化应用是缺陷图像分类；近年来，由于生成Al模型的进步，Al驱动的应用蒸蒸日上，EDA领域也涌现出许多设想和应用，如Al OPC、热点检测/固定和图像处理，如去噪等。
报告题目：ML driven extended DTCO from technology launch to HVM据介绍，现代半导体技术节点的设计到制作的完整过程始于设计技术协同优化（DTCO）。DTCO经常处理过程和设计假设，这些假设后来可能在实际过程开发阶段发生巨大变化。DTCO后的单个模块，如设计、重定目标、辅助特征插入、光学邻近校正（OPC）、掩模邻近校正（MPC）、掩膜带出和晶片处理，以分区的方式解决了系统性问题设置了标准的模块内验证机制，以防止系统缺陷的传播，如DRC签署物理设计、OPC验证验证OPC解决方案、计量和检验测量过程，通常是信息交换和协同优化模块间也有完善的电子诊断。只有在发生生产线类型的关键故障时才会出现。先进节点中使用了可制造性设计（DFM）和光刻友好设计（LFD）等技术，以便于更好地进行设计反馈。随着Fabless公司和Fab厂大力推动，需要一个系统的信息交换和分析平台，以全面的生命周期支持从设计到制造的各种模块。报告介绍了机器学习方法和基础设施，以促进延长设计技术协同优化生命周期。
报告题目：Impact of the Shrink of Photolithographic Design Rules by 10%光刻技术是集成电路技术持续发展的推动者。每一套设计规则都是在最大限度地考虑光刻能力的情况下制定的。由于光刻的分辨率是设计尺寸接近光学衍射限制的规则，因此在大多数情况下要在某些特定的程度上折衷分辨率限制，例如一些困难图案的限制。在报告中，伍强通过仿真来证明光刻设计规则减少10%对光刻工艺产生的影响。
报告题目：An Innovative Lithography Process Window Decision Based On Aggregation of Multi Machine Learning Approaches光刻是集成电路制造中的一个关键过程，它涉及使用光化学反应将预先在掩模上制备的图案转移到晶片衬底上。光刻过程中的两个核心参数是曝光的焦点和能量。由于光刻过程中的各种外部环境干扰，预设参数的允许波动范围被称为光刻工艺窗口。为了选择正真适合的光刻工艺窗口，工程师通常使用电子显微镜获得不同曝光参数的相应光刻图像，从而创建曝光-能量矩阵（FEM）图像。经验比较丰富的工程师可以分析FEM矩阵图像来确定过程窗口。报告中提出了一种基于无监督学习的方法来确定光刻工艺窗口，旨在明显提高光刻技术质量评估的准确性和效率。通过采用这种方法，克服了现存技术中依赖手动标签和主观评估的局限性，实现了光刻工艺窗口的自动确定。
报告题目：The Ultimate Step to Predict Yield Impact from Mask by Lithography Printability Review全面的掩模检查是晶圆厂工艺控制和产量管理的一种常见但关键的方法。随着分辨率增强技术（RET）和源掩模优化（SMO）技术的全面采用，检测后缺陷审查和处理变得比以前更具挑战性。手动一致地挑出掩模上的所有晶片印刷缺陷是非常耗时和困难的。任茂华之前的工作介绍了一种系统的解决方案来处理这样的一种情况。在报告中，任茂华重点讨论了利用光刻印刷检查（LPR）技术预测临界尺寸（CD）影响的最终步骤，不仅解释了LPR工作流程的概念，还讨论了在生产中应用LPR的三个关键挑战以及怎么样才能解决它们。
报告题目：A Masked Autoencoder-Based Approach for Defect Classification in Semiconductor Manufacturing在半导体制造业中，缺陷的自动分类至关重要。即使是最轻微的缺陷也可能会影响芯片性能或导致完全故障，进而影响芯片的良率。目前，缺陷分类仍然严重依赖于手动过程，通常会导致大量的错误分类。报告中提出了一种基于掩模自动编码器的芯片制造缺陷自动分类方法。以一种与任务无关的方式，在不需要任何标签的情况下对大量SEM（扫描电子显微镜）图像进行自监督预训练。以特定任务的方式，使用有限数量的高度可靠的标签来微调网络。实验根据结果得出，这种方法能够用最少的标记数据，准确地对缺陷进行分类，大幅度的降低了人工成本。
报告题目：Recent Progress of EUV Resist Development for Improving Chemical Stochastic2019年，极紫外（EUV）光刻技术已应用于大批量制造（HVM），用于制备先进的半导体器件。随着最近在源功率改进方面的快速进展，包括光刻胶材料在内的EUV光刻开发已达到HVM的要求。然而，EUV抗蚀剂材料的性能仍然不足以满足预期的HVM要求，即使使用最新合格的EUV抗阻剂材料也是如此。其中一个核心问题是随机问题，它将成为“缺陷”，如纳米桥或纳米夹。报告中，藤森对EUV光刻中的随机因素进行了分类，并介绍了它们的改进情况。在光刻步骤中观察到光子随机性和化学随机性这两个主要的随机问题。还介绍了包括光刻性能在内的各种随机问题的改进情况。
报告题目：EUV Interference Lithography and Application in SSRF据介绍，在SSRF中，基于同步辐射（SR）的EUV/软X射线干涉光刻已被用于EUV光刻胶的评估和制造各种纳米级严格的周期性结构。作为EUV光刻胶测试工具，SSRF EUV-IL站正朝着5nm技术节点迈进；为满足纳米科学和工业的更多要求，在SSRF-XIL站上开发了多种EUV-IL/XIL方法，如XIL缝合技术和非常规掩模XIL。
报告题目：A Novel Metal-Organic Resist Platform for High-Resolution Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography未来技术节点的半导体制造进展面临巨大挑战。其中，用于极紫外光刻（EUVL）的高灵敏度和高分辨率光刻胶的可用性是可能阻碍未来计划的主要挑战之一。为了应对这些挑战，Mohammad S. M. Saifullah团队开发了一种新型金属有机抗蚀剂平台。利用该平台，其探索了新型金属有机抗蚀剂，目的是提高图案化分辨率，降低线宽粗糙度，同时保持灵敏度。其特征是质量＜500道尔顿的含金属（或类金属）分子抗蚀剂，以及中心金属原子周围的高度可定制的有机环境。选择中心金属原子或准金属周围的有机环境的这种灵活性提供了相当大的工艺自由度来调整这些抗蚀剂的灵敏度和原子经济性。更重要的是，抗蚀剂平台是用于图案化与EUV和电子束光刻兼容的含金属/准金属的功能性抗蚀剂的通用方案。报告中讨论了选定抗蚀剂的EUV和电子束光刻的图案化结果，并展示高分辨率图案化的例子。
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