产品介绍

  在现代半导体出产的悉数过程中，会很多运用光刻胶来将电路板图图形经过掩模版和光刻胶的感光与显影，搬运到晶圆光刻胶上，从而在晶圆标明发生特定的光刻胶图形，然后在光刻胶的维护下，对基层薄膜或晶圆基底完结进行图形刻蚀或离子注入，最终再将原有的光刻胶完全去除。

  去胶是光刻工艺中的最终一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完结后，晶圆外表剩下光刻胶已完结图形搬运和维护层的功用，经过去胶工艺进行完全铲除。

  光刻胶去除是微加工工艺过程中很重要的环节，光刻胶是否完全去除洁净、对样片是否有形成损害，都会直接影响后续集成电路芯片制作工艺作用。

  半导体光刻胶去除工艺，一般分红两种，湿式去光刻胶和干式去光刻胶。湿式去胶又依据去胶介质的差异，分为氧化去胶和溶剂去胶两种类别。

  上图可见，干式去胶合适大部分去胶工艺，去胶完全且速度快，是现有去胶工艺中最好的方法，而微波PLASMA去胶技能，也是干式去胶的一种。

  晟鼎的微波PLASMA去胶机，搭载国内首创微波半导体去胶发生器技能，装备磁流体旋转架，使微波等离子体更高效、均匀的输出，不只去胶作用好，还能做到无损硅片与其他金属器材。并供给“微波+Bias RF”双电源技能，以应对不一样的客户需求。